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Principe général de la PVD

Son produit, revêtements métalliques et/ou céramiques, peut être appliqué sur tout substrat supportant une mise sous vide et un léger échauffement. La synthèse du film sur la pièce à revêtir est obtenue par la pulvérisation, dans une enceinte à vide, d’une source solide communément appelée cible. La pulvérisation de la cible résulte de son bombardement par des ions argon, générés par le plasma créé entre la cible et les parois de l’enceinte.

Les domaines d’application de ce procédé sont nombreux.

Si la synthèse d’un revêtement de métal pur s’effectue en présence d’un gaz inerte (l’argon), les composés (nitrures, carbures, oxydes) peuvent être obtenus dans des atmosphères réactives (mélanges gazeux) qui contiennent à la fois l’argon nécessaire à la pulvérisation et le gaz réactif nécessaire à la formation d’un composé.
Exemple : introduction d’un mélange argon plus azote dans l’enceinte sous vide avec pulvérisation d’une source en titane pour la synthèse d’un composé du type TiN.

 

Apport de la technologie HiPIMS

La technologie HiPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) permet d’obtenir un plasma fortement ionisé en envoyant des impulsions de courant très intenses pendant des temps très courts.  En comparaison avec les techniques conventionnels, les avantages de cette technique sont nombreux:

  • Dépôts plus denses et plus durs.
  • Meilleure adhérence des dépôts.
  • Meilleure homogénéité sur les surfaces complexes.
  • Synthèse in-situ et sans chauffage additionnel de composés nécessitant normalement un recuit post-traitement.